檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "丘群".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="陳炤彰"
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晶圓經過化學機械拋光(CMP)製程後,晶圓表面通常殘留大量拋光液中之磨料、金屬離子及其他污染物,若無有效去除CMP製程後之殘留污染物以及拋光所產生之表面損傷,則將影響後續薄膜沈積、微影等製程之良率,…
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CMP(Chemical-Mechanical Planarization)為化學機械平坦化製程被應用於IC製造。在半導體線寬縮減的迫切需求下,穩定性和可用性於CMP製程已成為非常重要的課題。然而目…
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三維堆疊積體電路(3DS-IC)被認為是一項突破摩爾定律關鍵技術,由矽導孔晶圓(TSV)及玻璃導孔晶圓(TGV)作為中介層(Interposer)材料進行三維異質元件堆疊,TGV所需使用的無鹼玻璃基…